山脊投资领投，铭镓半导体完成数千万元Pre-A轮融资

近日，中国第四代半导体“氧化镓”材料产业化的先行者北京铭镓半导体有限公司（以下简称“铭镓半导体”）完成由山脊投资领投的数千万元Pre-A轮融资。

铭镓半导体成立于2020年，是国内专业从事氧化镓材料及其功率器件产业化的高新企业。主要专注于新型超宽禁带半导体材料氧化镓的高质量单晶与外延衬底、高灵敏度日盲紫外探测器件和高频大功率器件等产业化高新技术的研发，目前已实现2寸氧化镓衬底材料量产。

铭镓半导体是目前唯一可实现国产工业级氧化镓半导体晶片小批量供货的中国厂家，公司拥有一支强劲的博士人员研发团队，核心成员中有多位具备10年以上半导体领域从业经验的产业技术人才。现有专利17项（含申请中），实用新型3项，发明专利14项。

山脊投资投资人王远博表示：

1、日本在半导体材料领域一向具有风向标作用。此前，日本在研发领域缺少资金支持的情况下，依然在第四代半导体材料“氧化镓”领域投入了重金；同时，2019年7月，三菱与电装联合宣布将成立一个新的合资企业，将目光投向了能够挑战SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）的功率半导体“氧化镓”。可见日本对于“氧化镓”未来在半导体领域发挥重要价值的期待之大。

2、技术上，第四代半导体材料“氧化镓”在光电和功率半导体领域具有优异的指标，天然的属性和其生长工艺使其性价比要比第三代半导体更具优势。因此，我们看好“氧化镓”材料未来的发展前景。

3、作为国内“氧化镓”领域的先行者，铭镓半导体具备先发优势，目前已实现量产2寸，突破4寸技术，是目前唯一可实现国产工业级“氧化镓”半导体晶片小批量供货中国厂家。未来，山脊投资看好铭镓半导体在国内化合物半导体领域扮演重要角色。

2017年9月份，科技部高新司重点研发计划把“氧化镓”列入其中；2018年3月，北京市科委率先开展了前沿新材料的研究，把“氧化镓”列为重点项目。包括我们国内从单晶薄膜到器件，各种高校、院所深入参与其中，中国的氧化镓自2017年开始逐步成为热点。

而在国际上，2021年7月，据材料世界网报道，日本AGC与JX金属投资的Novel Crystal表示，该公司4英寸的“氧化镓”功率半导体晶圆成功量产并开始销售，预计3年内将实现年产量近2万片左右。

那么，备受关注的第四代半导体材料“氧化镓”究竟具有哪些优势，其是否有望成为满足半导体功率器件发展需求的新一代半导体材料呢？

❶ 极高的性能优势。功率上“氧化镓”极具竞争力，各项性能都优于前几代材料。同等耐压的情况下，“氧化镓”基器件损耗对比于碳化硅基损耗要降低86%；以功率半导体器件实现同样性能为前提，在器件尺寸上碳化硅基仅为硅基的1/30左右，而“氧化镓”基又仅为碳化硅基的1/5左右；

❷ 低廉的成本优势。在尚未批量爆发的情况下，价值成本已经做到和同类型产品相比降低七分之一；

❸ 高质量合成易得。相对于PVT方法的微米量级长晶速度，液相法生长的氧化镓长晶速度每小时可高达数十毫米，成长速度快约百倍，并且可以成长出高品质单晶晶体；

❹ 极短的产业化优势。从实现这个产业的材料零突破到实现六英寸用了短短八年时间，产业化周期极短，八年里这个材料的尺寸以及整个器件的模型在飞速发展。

行业分析人士表示，预计到2030年，全球氧化镓及功率器件市场规模将达到98.6亿元左右，行业发展空间广阔。与日本相比，我国在氧化镓技术研究领域实力较弱，但我国半导体市场庞大，对相关材料需求旺盛，为从制造大国向制造强国转变，先进材料必不可少，氧化镓必须实现国产化生产。长期来看，我国氧化镓行业前途光明。

成立于2020年的铭镓半导体，是国内专业从事氧化镓材料及其功率器件产业化的高新企业。主要专注于新型超宽禁带半导体材料氧化镓的高质量单晶与外延衬底、高灵敏度日盲紫外探测器件和高频大功率器件等产业化高新技术的研发，目前已实现2寸氧化镓衬底材料量产。

铭镓半导体是目前唯一可实现国产工业级氧化镓半导体晶片小批量供货的中国厂家，公司拥有一支强劲的博士人员研发团队，核心成员中有多位具备10年以上半导体领域从业经验的产业技术人才。现有专利17项（含申请中），实用新型3项，发明专利14项。

目前，铭镓半导体已开始布局“氧化镓”材料产业全链路，拥有国内仅有、完备的涵盖晶体制备——晶体加工——外延制备——性能检测——器件设计的标准线。相信在未来中国半导体产业发展进程中，铭镓半导体能够在中国科技创新精神的引导下做出亮眼的成绩，扮演重要的角色。